特許
J-GLOBAL ID:200903034887039337
ガス吸着材及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田中 敏博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-007888
公開番号(公開出願番号):特開2000-202283
出願日: 1999年01月14日
公開日(公表日): 2000年07月25日
要約:
【要約】【課題】 安定したガス吸着能を有し、しかも合成の再現性に優れるガス吸着材を提供する。【解決手段】 イソフタル酸銅(II)錯体は、本発明のガス吸着材の一種である。この錯体は、合成直後のみならず室温で放置した後も安定したガス吸着能を示し、また、同じ合成手順で合成したものはほぼ同じガス吸着能を有するため再現性にも優れている。
請求項(抜粋):
遷移金属イオンと、該遷移金属イオンと配位結合し得る官能基が1,3-又は1,2-の位置に存する環式炭化水素とにより形成された有機金属錯体を主成分とするガス吸着材。
IPC (2件):
FI (2件):
B01J 20/22 A
, C07F 1/08 B
Fターム (26件):
4G066AA15A
, 4G066AA15B
, 4G066AB03B
, 4G066AB06A
, 4G066AB07A
, 4G066AB07B
, 4G066AB24B
, 4G066CA27
, 4G066CA51
, 4G066DA04
, 4G066FA03
, 4G066FA34
, 4G066FA37
, 4H048AA02
, 4H048AA03
, 4H048AB80
, 4H048AC90
, 4H048AD17
, 4H048BB14
, 4H048BB17
, 4H048BC10
, 4H048VA00
, 4H048VA10
, 4H048VA20
, 4H048VA56
, 4H048VB10
引用特許:
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