特許
J-GLOBAL ID：200903034903119133
液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
江上 達夫
, 中村 聡延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110866
公開番号（公開出願番号）：特開2007-286171
出願日： 2006年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】液晶装置において、対向電極に供給される共通電位の変動を抑制する。【解決手段】液晶装置1は、TFTアレイ基板10と、TFTアレイ基板10に対向するように配置された対向基板20と、負の誘電率異方性を有する液晶分子50aを含んでおり、TFTアレイ基板10及び対向基板20間に挟持された液晶層50と、TFTアレイ基板10上に形成された画素電極9aと、画素電極9aに対向するように対向基板20上に形成されており、共通電位VCOMが供給される対向電極21とを備える。更に、TFTアレイ基板10上の画素電極9aを覆う配向膜16と、対向基板20上の対向電極21を覆う配向膜22とを備える。配向膜22の表面における液晶分子50aのプレチルト角θ2は、配向膜16の表面における液晶分子50aのプレチルト角θ1の1.5〜2.0倍である。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1基板と、
前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、
負の誘電率異方性を有する液晶分子を含んでおり、前記第1及び第2基板間に挟持された液晶層と、
前記第1基板上の画素領域に形成されており、画像信号に応じた画素電位が供給される画素電極と、
前記画素電極に対向するように前記第2基板上の前記画素領域に形成されており、共通電位が供給される対向電極と、
前記第1基板における前記液晶層に面する側の基板面に斜方蒸着法を用いて無機材料を蒸着させることによって形成されており、前記画素電極を覆う第1配向膜と、
前記第2基板における前記液晶層に面する側の基板面に斜方蒸着法を用いて無機材料を蒸着させることによって形成されており、前記対向電極を覆う第2配向膜と
を備え、
前記第2配向膜の表面における前記液晶分子のプレチルト角は、前記第1配向膜の表面における前記液晶分子のプレチルト角の1.5〜2.0倍である
ことを特徴とする液晶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
2H090HB02Y
, 2H090HC18
, 2H090MA11
, 2H090MB06
