特許
J-GLOBAL ID：200903034903605704

発光素子用量子ドットシリケート薄膜の製造方法

発明者：
林 珍 亨

林 珍 亨 について

, 
張 銀 珠

張 銀 珠 について

, 
安 泰 瓊

安 泰 瓊 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-188289
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039251
出願日： 2004年06月25日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】 機械的安定性および熱的安定性に優れた量子ドットシリケート薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 湿式方法で製造された1〜100nmの半導体量子ドットの表面を、ホスフィン系作用基、アミン系作用基およびチオール系作用基から選ばれる少なくとも1種の作用基と、ゾル-ゲル反応性基とを有するシラン化合物で置換した後、置換された量子ドットをゾル-ゲル反応させてから基板上にコーティングし、あるいは基板上にコーティングしてからゾル-ゲル反応させて熱処理する段階を含む量子ドットシリケート薄膜の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
湿式方法で製造された1〜100nmの半導体量子ドットの表面を、ホスフィン系作用基、アミン系作用基およびチオール系作用基から選ばれる少なくとも1種の作用基と、ゾル-ゲル反応性基とを有するシラン化合物で置換した後、置換された量子ドットをゾル-ゲル反応させてから基板上にコーティングし、あるいは基板上にコーティングしてからゾル-ゲル反応させて熱処理する段階を含む量子ドットシリケート薄膜の製造方法。
IPC (7件)：
H01L33/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06
FI (8件)：
H01L33/00 A ,  C09K11/08 G ,  C09K11/08 Z ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H01L21/368 Z ,  H01L29/06 601D
Fターム (58件)：
4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CC11 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA52 ,  4H001XA80 ,  4J246AA03 ,  4J246AB15 ,  4J246BA04X ,  4J246BA040 ,  4J246BA12X ,  4J246BA120 ,  4J246BA14X ,  4J246BA140 ,  4J246BA22X ,  4J246BA220 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB14X ,  4J246BB140 ,  4J246BB141 ,  4J246CA760 ,  4J246CA83X ,  4J246CA830 ,  4J246CA870 ,  4J246FA101 ,  4J246FA131 ,  4J246FA291 ,  4J246FA321 ,  4J246FA331 ,  4J246FA441 ,  4J246FA611 ,  4J246GB33 ,  4J246GC01 ,  4J246GC12 ,  4J246HA16 ,  5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA21 ,  5F041CA41 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053DD14 ,  5F053DD15 ,  5F053DD16 ,  5F053DD20 ,  5F053FF10 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053LL01 ,  5F053RR11
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6251303号明細書
  • 米国特許第6444143号明細書
  • 米国特許第5751018号明細書
審査官引用 (3件)

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