光電変換素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230570
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053615
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】ショットキー電極の形状を工夫することにより変換効率の向上した、ショットキー障壁型の光電変換素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】ショットキー電極と、該ショットキー電極に接して設けられた半導体受光層と、該半導体受光層と接して設けられた透明電極と、を有する構成の光電変換素子であって、該ショットキー電極は、周期的な凹凸構造を有し、該半導体受光層は、該ショットキー電極の凹凸構造を有する面側に接触して配置されており、及び、前記ショットキー電極の凹凸構造の高低差は、隣接する凸部の周期間隔の1/20以上1/5以下の範囲にあることを特徴とする光電変換素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ショットキー電極と、該ショットキー電極に接して設けられた半導体受光層と、該半導体受光層と接して設けられた透明電極と、を有する構成の光電変換素子であって、該ショットキー電極は、周期的な凹凸構造を有し、該半導体受光層は、該ショットキー電極の凹凸構造を有する面側に接触して配置されており、及び、該ショットキー電極の凹凸構造の高低差は、隣接する凸部の周期間隔の1/20以上1/5以下の範囲にあることを特徴とする光電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 31/108 , H01L 29/41 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L31/10 C , H01L29/44 S , H01L29/48 F

Fターム (17件)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104FF06 , 4M104FF11 , 4M104GG05 , 5F049MA05 , 5F049MB03 , 5F049NA01 , 5F049NB07 , 5F049PA07 , 5F049SE02 , 5F049SE09

引用特許：

出願人引用 (2件)

ショットキー接合型半導体光検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-336947 出願人：三菱電機株式会社
光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-245874 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

特開昭59-108376
特開平2-129616
ナノ構造体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-093129 出願人：キヤノン株式会社

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