特許
J-GLOBAL ID：200903034935594534

結晶配向バルクZnO系焼結体材料の製造方法およびそれにより製造された熱電変換デバイス

発明者：
谷 俊彦

谷 俊彦 について

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河本 邦仁

河本 邦仁 について

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徐 元善

徐 元善 について

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戸田 徳

戸田 徳 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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ハクスイテック株式会社

ハクスイテック株式会社 について


代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116407
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016297
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 結晶配向化により高い熱電特性が得られるばかりでなく、その熱電特性のバラツキもなく、しかも環境負荷特性にも優れた結晶配向バルクZnO系焼結体材料の製造方法およびそれにより得られる熱電変換デバイスを提供すること。【解決手段】 結晶配向材料のテンプレートとなる物質である形状異方性を有するZnOまたはその前駆体粉末材料と、このZnOまたはその前駆体粉末材料との反応によって結晶異方性のある導電性酸化物を生成する物質とを混合し、この混合材料を前記異方形状粉末が一方向に配向するように常温下で成形し、この成形物を熱処理することにより合成し、その後に焼結する。
請求項（抜粋）：
結晶配向材料のテンプレートとなる物質である形状異方性を有するZnOまたはその前駆体粉末材料と、このZnOまたはその前駆体粉末材料との反応によって結晶異方性のある導電性酸化物を生成する物質とを混合し、この混合材料を前記異方形状粉末が一方向に配向するように常温下で成形し、この成形物を熱処理することにより合成し、その後に焼結するようにした熱電材料の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 35/34 ,  C04B 35/453 ,  H01L 35/32
FI (3件)：
H01L 35/34 ,  H01L 35/32 ,  C04B 35/00 P
Fターム (11件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA21 ,  4G030CA02 ,  4G030CA07 ,  4G030GA19 ,  4G030GA20 ,  4G030GA21
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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