特許

J-GLOBAL ID：200903034937423427

半導体装置の製造方法

発明者： 宇佐美 達矢 ,  大音 光市 ,  上田 靖彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-316931
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150101
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 酸素プラズマにより変質する絶縁膜を一部に使った構造の加工後のフォトレジスト除去を絶縁膜の劣化なく行う。【解決手段】 NxHyガス(x=1,2、y=2〜4)を用いたプラズマによるフォトレジストの除去を行う。

請求項（抜粋）：

酸素プラズマによって変質する絶縁膜を層間膜の一部として含む半導体装置の製造方法において、前記層間膜にスルーホールまたは溝を形成する際のフォトレジスト剥離工程で、フォトレジストの剥離ガスとして、少なくとも、NxHy(x=1,2、y=2〜4)ガスを含むプラズマを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アッシング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-182553   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-277895   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-142738