特許
J-GLOBAL ID：200903034949595061
半導体装置用基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000650
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195727
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、部品実装用ランドが高密度のときでも、絶縁性を維持しつつ、高い信頼性での電気的検査の実現を図る。【解決手段】 絶縁基板11と、絶縁基板上に所定の配線パターンを有して形成された配線層12と、配線層を部分的に露出させ、且つ配線層のほぼ全面を覆う表面保護層13と、露出された配線層の表面に形成され、表面保護層の表面位置よりも10μm以下の範囲でくぼんだ位置に表面を有する部品実装用ランド14とを備えた半導体装置用基板及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、前記絶縁基板上に所定の配線パターンを有して形成された配線層と、前記配線層を部分的に露出させ、且つ前記配線層のほぼ全面を覆う表面保護層と、前記露出された配線層の表面に形成され、且つ配線層の他の部分より厚く形成され、前記表面保護層の表面位置よりも10μm以下の範囲でくぼんだ位置に表面を有する部品実装用ランドとを備えたことを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 Q
, H05K 3/06 J
