特許
J-GLOBAL ID：200903034959264659

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
北 川 良 太

北 川 良 太 について

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浅 川 鋼 児

浅 川 鋼 児 について

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藤 本 明

藤 本 明 について

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中 西 務

中 西 務 について

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堤 栄 史

堤 栄 史 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-077421
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231689
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】良好なオーミック接触を示し、全面発光可能な電極材料を具備する半導体発光素子を提供する。【解決手段】光取り出し側の電極層が、貫通する複数の開口部を有しており、その金属部位の任意の2点間は切れ目無く連続しており、開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、活性層から発生する発光波長の1/3以下である部位が、全面積の95%以上であり、平均開口部径が10nm以上から前記発光波長の3分の1以下の範囲にあり、電極層の膜厚が10nm以上200nm以下の範囲であって、前記電極層と前記半導体層が良好なオーミック接触を形成している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶基板の一方の面に電極層を具備し、もう一方の面にn型半導体層と活性層とp型半導体層とが順次積層されてなる半導体化合物層と、前記半導体化合物層上に積層された金属電極層とを具備してなる半導体発光素子であって、 前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、 前記金属電極層の金属部位の任意の2点間は切れ目無く連続しており、 前記金属電極層における前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、前記活性層から発生する光の波長の1/3以下である部位が、全面積の90%以上であり、 平均開口部径が10nm以上、前記光の波長の3分の1以下の範囲にあり、 前記金属電極層の膜厚が10nm以上200nm以下の範囲にある ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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