特許
J-GLOBAL ID：200903065570109715

電極及び半導体発光素子

発明者：
楠瀬 健

楠瀬 健 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012372
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209734
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 電極として、透明な導電性酸化物膜を用い、その上に金属電極を形成する場合において、十分な透明性を維持しながら、ショットキー障壁を防止し、コンタクト抵抗を最小限に留めることができる電極及びこの電極を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体層上に亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)、マグネシウム(Mg)よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と金属膜とがこの順に積層された電極であって、前記導電性酸化物膜の金属膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、前記導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも低いことを特徴とする電極。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層上に、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)及びマグネシウム(Mg)よりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と金属膜とがこの順に積層された電極であって、前記導電性酸化物膜の金属膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、前記導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも低いことを特徴とする電極。
IPC (2件)：
H01L21/28 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L21/28 301R ,  H01L33/00 E
Fターム (28件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA07 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG05 ,  4M104HH16 ,  5F041AA21 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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