特許

J-GLOBAL ID：200903034962304122

複層半導体ナノ粒子の製造方法及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子

発明者： 佐藤 恵一 ,  桑畑 進
出願人/特許権者： 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 平木 祐輔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028022
公開番号（公開出願番号）：特開2003-226521
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月12日
要約：

【要約】【課題】 非常に狭い粒径分布を持ち、波長幅の狭いピークを持つスペクトルを示す複層半導体ナノ粒子の調製を目的とし、単分散半導体ナノ粒子の製造法と複層半導体ナノ粒子の調製法とを結びつける一連の有効な製造法を提供する。【解決手段】 表面安定化剤によって安定化された単分散半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換することにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前記安定化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移動させ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液抽出を行うことを特徴とする複層半導体ナノ粒子の製造方法、及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子。

請求項（抜粋）：

表面安定化剤によって安定化された単分散半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換することにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前記安定化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移動させ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液抽出を行うことを特徴とする複層半導体ナノ粒子の製造方法。

IPC (2件)：

C01G 11/02 ,  C09K 11/56 CPC

FI (2件)：

C01G 11/02 ,  C09K 11/56 CPC

Fターム (27件)：

4G047BA01 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04 ,  4H001CA02 ,  4H001CC03 ,  4H001CC05 ,  4H001CC06 ,  4H001CC07 ,  4H001CC09 ,  4H001CC12 ,  4H001CC13 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52 ,  4H001XA74 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 高発光の色-選択材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-521557   出願人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
• 安定化粒子、その製造方法、およびその用途
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-518029   出願人：ザ・ユニヴァシティ・オブ・メルボルン
• 半導体超微粒子反応試剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198094   出願人：三井化学株式会社
• 硫化カドミウム超微粒子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119478   出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (1件)

• 高発光の色-選択材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-521557   出願人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー

引用文献：

出願人引用 (1件)

• サイズ選択光溶解法によるCdS超微粒子の単分散化

審査官引用 (1件)

• サイズ選択光溶解法によるCdS超微粒子の単分散化