特許
J-GLOBAL ID：200903034966397842

窒化物半導体基板及びその成長方法

発明者：
山田 洋

山田 洋 について

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前川 仁志

前川 仁志 について

, 
三木 照仁

三木 照仁 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-313110
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124576
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】基板上への窒化物半導体の成長であって、低欠陥であり結晶性の良好な窒化物半導体基板及び、その成長方法を提供する。【解決手段】基板上に第1の窒化物半導体を成長後、第1の窒化物半導体表面に凹凸を形成し、この凸部上面は保護膜で保護されており、その後、凸部以外の露出部を熱処理し、さらに組成比の異なる第2の窒化物半導体を第1の窒化物半導体の凹部底面及び側面に成長させ、その後、保護膜を除去し、凸部上面から第3の窒化物半導体を成長させ低欠陥であり平坦な窒化物半導体基板とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、凹凸の段差を有した第1の窒化物半導体と、該第1の窒化物半導体の凹部端面及び底面に第1の窒化物半導体と組成の異なる第2の窒化物半導体と、前記第1の窒化物半導体の凸部上面から成長し第2の窒化物半導体を覆う第3の窒化物半導体とを有する窒化物半導体基板。
IPC (4件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 29/43 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/10 Z ,  H01L 29/46 G
Fターム (27件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA74 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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