特許
J-GLOBAL ID：200903051948162686

窒化物半導体の成長方法

発明者：
竹川 一紀

竹川 一紀 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301585
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126991
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体の横方向の成長過程で、窒化物半導体がエピタキシャル成長不可能な基板が露出していることにより基板上に成長するアモルファスによる結晶性の乱れを解決し、結晶性の良好な窒化物半導体層を安定して形成することのできる窒化物半導体の成長方法を提供することである。【解決手段】 第1の工程で、基板20上に、後工程の第3の工程で成長させる第3の窒化物半導体層30の成長が、第2の窒化物半導体層28を核として成長するよりも第1の窒化物半導体層26を核として成長する方が遅くなるように組成が異なるように調整された第1及び第2の窒化物半導体層を順にエピタキシャル成長させ、第2の工程で、第1の窒化物半導体層26が露出しかつ所定の深さで削られるようにエッチングして凹凸を形成し、続いて第3の工程で第3の窒化物半導体層30を成長させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも互いに組成の異なる第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層を順に成長させる第1の工程と、前記第2の窒化物半導体層の表面から基板方向に向かって部分的にエッチングして凹凸を形成する第2の工程と、第2の工程でエッチングされずに第1の窒化物半導体層上に残っている第2の窒化物半導体層を核として、前記第2の窒化物半導体層と大略同一組成の第3の窒化物半導体層を横方向の成長を利用して成長させる第3の工程とを、少なくとも有する窒化物半導体の成長方法において、前記第1の工程で、第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層の組成が、第3の工程で成長させる第3の窒化物半導体層の成長が、第2の窒化物半導体層を核として成長する速度より、第1の窒化物半導体層を核として成長する速度が遅くなるように調整され、且つ第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層が共にエピタキシャル成長されてなり、更に、前記第2の工程で、エッチングが、第1の窒化物半導体層が露出しかつ所定の深さで削られるように行われていることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01S 5/323
Fターム (54件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FB06 ,  4G077FG04 ,  4G077HA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE30 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DB09 ,  5F045HA12 ,  5F045HA16 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35
引用特許：
出願人引用 (4件)
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