特許
J-GLOBAL ID：200903034974616391
電圧駆動型半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003588
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200104
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】トレンチ型の絶縁ゲートを有する半導体装置で、ゲート電極形成時の多結晶シリコンのエッチバックの制御性が良く、しかも寄生サイリスタがラッチアップしにくい素子を提供すること、及びそのような素子の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面上に、ゲート絶縁膜6よりも厚い絶縁膜7及び、絶縁膜7上及びゲート電極5上に絶縁膜8を設ける。
請求項（抜粋）：
第1半導体領域と、前記第1半導体領域に隣接する第1導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域に隣接する第2導電型の第3半導体領域と、前記第3半導体領域内に設けられる第1導電型の第4半導体領域とを有する半導体チップを備え、前記第1半導体領域に接触する第1主電極と、前記第4半導体領域に接触する第2主電極と、前記第3半導体領域を貫通する複数のトレンチ内に設けられる絶縁ゲート電極とを具備し、前記第3半導体領域に隣接する絶縁ゲート電極の絶縁膜よりも厚い第1の絶縁膜と、前記絶縁ゲート電極及び前記第1の絶縁膜に隣接する第2の絶縁膜を具備することを特徴とする電圧駆動型半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 655 A
