特許
J-GLOBAL ID：200903034991365432
酸化硅素皮膜付きプラスチックフィルムの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310884
公開番号（公開出願番号）：特開平8-165565
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】プラスチックフィルム、なかでも長尺のプラスチックフィルムに異常放電の発生を長時間伴わずに良好な酸化硅素皮膜を形成させて、酸化硅素付きプラスチックフィルムを得る方法を提供する。【構成】巻物状のプラスチックフィルムを巻出してスパッタリング部に供給し、硅素をターゲットとして直流方式によるスパッタリングを行い、酸素ガスを反応性ガスとして供給して酸化硅素をプラスチックフィルム上に形成して巻取る酸化硅素皮膜付きプラスチックフィルムの製造方法において、該ターゲットが単結晶硅素であることを特徴とする酸化硅素皮膜付きプラスチックフィルムの製造方法。
請求項（抜粋）：
巻物状のプラスチックフィルムを巻出してスパッタリング部に供給し、硅素をターゲットとして直流方式によるスパッタリングを行い、酸素ガスを反応性ガスとして供給して酸化硅素をプラスチックフィルム上に形成して巻取る酸化硅素皮膜付きプラスチックフィルムの製造方法において、該ターゲットが単結晶硅素であることを特徴とする酸化硅素皮膜付きプラスチックフィルムの製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, B32B 9/00
, C23C 14/10
, C23C 14/56
