特許
J-GLOBAL ID:200903034997028675

ポリスルホンアミドマトリクス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-587880
公開番号(公開出願番号):特表2004-531583
出願日: 2001年05月23日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
本発明は、スルホンアミドポリマーマトリクスを提供し、このマトリクスは、半透膜として構成される場合に、改善されたフラックス、改善された保持特性、および/または改善された安定性を示す。本発明はまた、本発明のスルホンアミドポリマーマトリクスを調製するためのプロセスを提供する。本発明により、ポリアミド膜のフラックスおよび保持能力のようなフラックスおよび保持能力を示す、ポリスルホンアミド膜、強酸条件下において安定であり、そして/または酸化条件に対して安定である、RO膜およびNF膜のような半透膜、ならびに激しい、腐食性の産業的適用(採鉱、産業的脱塩、産業廃棄物の精製、産業および住宅の再利用および溶質回収が挙げられる)において有用な半透膜を提供する。
請求項(抜粋):
約5nm〜約100nmの平均厚さを有する、スルホンアミドポリマーマトリクスであって、該ポリマーマトリクスは、少なくとも2つのスルホニル部分を有するスルホニル化合物残基および少なくとも2つのアミン部分を有するアミン化合物残基から構成される、スルホンアミドポリマーマトリクス。
IPC (5件):
C08G75/30 ,  B01D69/12 ,  B01D71/68 ,  B01D71/82 ,  C08J5/22
FI (5件):
C08G75/30 ,  B01D69/12 ,  B01D71/68 ,  B01D71/82 510 ,  C08J5/22
Fターム (44件):
4D006GA03 ,  4D006GA06 ,  4D006GA07 ,  4D006HA01 ,  4D006HA41 ,  4D006HA61 ,  4D006JA02A ,  4D006JA02B ,  4D006JA02C ,  4D006MA01 ,  4D006MA03 ,  4D006MA04 ,  4D006MA07 ,  4D006MA28 ,  4D006MA31 ,  4D006MB02 ,  4D006MB06 ,  4D006MB20 ,  4D006MC60X ,  4D006MC62X ,  4D006MC71X ,  4D006MC78X ,  4D006MC88 ,  4D006MC90 ,  4D006NA46 ,  4D006NA54 ,  4D006NA64 ,  4D006PA01 ,  4D006PA02 ,  4D006PB12 ,  4D006PB14 ,  4D006PB15 ,  4D006PB27 ,  4D006PC01 ,  4D006PC11 ,  4D006PC41 ,  4F071AA61 ,  4F071FC01 ,  4F071FC04 ,  4J030BA10 ,  4J030BA45 ,  4J030BB10 ,  4J030BB33 ,  4J030BB36
引用特許:
審査官引用 (9件)
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