半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222763
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】素子内部で発生したLED光が素子表面で反射されるのを抑制して、光取出し効率を向上する。【構成】 n型GaAs基板1の表面を凸凹形状とするとともに、該基板1上に配置される発光部100aを、該基板表面上にn型下クラッド層2、活性層3及びp型上クラッド層4を順次結晶成長してなる構造とし、該発光部100aを構成する各半導体層2〜4の表面形状が、該基板表面の凸凹形状に対応した凸凹形状となるようにした。

請求項（抜粋）：

その表面が凸凹形状となっている第1導電型の化合物半導体基板と、該化合物半導体基板の表面上に、少なくとも第1導電型の下クラッド層、活性層及び第2導電型の上クラッド層を順次結晶成長してなり、該活性層にて発生した光が出射する発光部と、該化合物半導体基板の裏面側に形成された第1導電型電極と、該発光部の上側に形成された第2導電型電極とを備え、該発光部を構成する各半導体層は、該化合物半導体基板表面の凸凹形状に対応した凸凹の表面形状を有する半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平1-091485
特開平4-268782
AlGaInP系半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-227377 出願人：シヤープ株式会社

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審査官引用 (6件)

特開平1-091485
特開平4-268782
AlGaInP系半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-227377 出願人：シヤープ株式会社

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