特許
J-GLOBAL ID：200903035009927020

多値不揮発性メモリ

発明者：
原田 敏典

原田 敏典 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-015031
公開番号（公開出願番号）：特開2002-216485
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 Yアドレスの多値化と書き込み動作の効率化を実現した多値不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 1つのメモリセルに2ビット値以上の記憶情報を格納し、それぞれのビットに異なるYアドレスを割り当て、書き込み動作に際しては、メモリセルの記憶状態を読み出してそれと書き込むべきデータの比較を行い、消去状態及び消去状態に対応された書き込みデータを検出し、それ以外のときには消去動作を行った上で上記書き込みデータに対応した書き込み動作を行わせる。
請求項（抜粋）：
1つのメモリセルに2ビット値以上の記憶情報が格納され、かつ、それぞれビットに異なるYアドレスが割り当てられてなる多値不揮発性メモリであって、メモリセルの記憶状態を読み出し、それと書き込むべきデータの比較を行い、消去状態及び消去状態に対応された書き込みデータを検出し、それ以外には消去動作を行った上で上記書き込みデータに対応した書き込み動作を行わせることを特徴とする多値不揮発性メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 611 C
Fターム (8件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05
引用特許：
審査官引用 (3件)

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