特許
J-GLOBAL ID：200903066269324119
不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-351346
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235886
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】電気的に書き換えが可能な多値メモリを実現する。【解決手段】浮遊ゲート型又はMNOS型のEEPROMやフラッシュメモリのような電荷蓄積層を備えたメモリセルに3値以上のデータを記憶させる。データの書き換えは、当該メモリセルの書き換え前の記憶データを読み出し回路6により読み出し、その読み出した書き換え前の記憶データと新たに書き込むべき書き込みデータとをプログラム制御回路8において比較し、その比較結果に応じて、当該メモリセルのソース、ドレイン及び制御ゲートに印加する電圧の組み合わせを決定し、高電圧発生回路7から当該メモリセルに印加する。
請求項（抜粋）：
制御ゲートと半導体基板との間に電荷蓄積層を有し、前記電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより3値以上のデータを記憶するメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルに記憶されたデータを消去するデータ消去手段と、前記データ消去手段により消去された前記メモリセルの前記電荷蓄積層に、3値以上の書き込みデータのうちの所定の書き込みデータに対応した電荷量を蓄積させることにより前記所定の書き込みデータを前記メモリセルに記憶させるデータ書き換え手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 510 E
, G11C 17/00 308
