特許

J-GLOBAL ID：200903035017771047

銅配線基板及びその製造方法

発明者： 山本 健二
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371940
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189315
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に強固に付着した銅薄膜配線を備えた銅配線基板を得る。【解決手段】 銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にSiO2 とSiNx とが混在した窒化珪素変質層を形成する。しかる後この窒化珪素変質層の上に銅薄膜をスッパタリング成膜する。また、窒素プラズマの照射は銅薄膜のスッパタリング成膜と同時に行うこともできる。窒素プラズマの照射はスパッタ成膜装置に付随するクリーニング室を利用して行うことができる。あるいはまたクリーニング室がない場合には、スパッタ成膜室内の雰囲気を変えることによっても行える。

請求項（抜粋）：

ガラス基板、石英基板もしくは酸化珪素膜の表面に、窒化珪素変質層を介して被着した銅薄膜を有することを特徴とする銅配線基板。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 J

Fターム (38件)：

4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104GG09 ,  4M104HH09 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ98 ,  5F033VV15 ,  5F033XX14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE44 ,  5F110EE47 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL23

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080270   出願人：ローム株式会社