特許
J-GLOBAL ID：200903035024436989
電力変換器制御装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三谷 惠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025841
公開番号（公開出願番号）：特開2001-161078
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子に大きな電流が流れる異常が発生しても、その保護動作を確実に行い素子破壊を防ぐことができる電力変換器制御装置を得ることである。【解決手段】 ホールCT11により電力変換器6の半導体素子に過電流が流れたことが検出されたときは、異常検出部9は異常信号を出力する。異常検出部9からの異常信号があると、ゲート駆動部8のゲート遮断手段13は電力変換器6の停止のためのゲート遮断信号を出力する。一方、ゲートオン手段は、異常となった半導体素子のゲート信号をオン状態に保持し、ゲート絞り手段12により半導体素子の電流が所定値より小さくなってから半導体素子のゲート信号をオフする。これにより、ゲート遮断動作がなされることに先行して半導体素子に流れる電流を減少させることができる。
請求項（抜粋）：
電力変換器の半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動部と、前記電力変換器の半導体素子に流れる電流が所定値を超えたことを検出し異常信号を出力する異常検出部と、前記ゲート駆動部にゲート信号を送り前記電力変換器を制御する制御部とを備えた電力変換器制御装置において、前記ゲート駆動部は、前記異常検出部の異常信号を入力したとき前記半導体素子のゲートを絞るゲート絞り手段と、前記電力変換器の停止のためのゲート遮断信号を出力するゲート遮断出力手段と、異常となった半導体素子のゲート信号をオン状態に保持し前記半導体素子の電流が所定値より小さくなってから前記半導体素子のゲート信号をオフするゲートオン手段とを備えたこと特徴とする電力変換器制御装置。
IPC (3件)：
H02M 7/48
, H02M 7/537
, H02M 7/5387
H02M 7/48 M
, H02M 7/537 E
, H02M 7/5387 Z
5H007AA06
, 5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007CC12
, 5H007DB01
, 5H007DC02
, 5H007FA03
, 5H007FA06
, 5H007FA13
, 5H007FA19
, 5H007GA08
