特許

J-GLOBAL ID：200903035033137536

薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者： 荒木 宏典 ,  末廣 利英 ,  柴田 馨 ,  村上 彰一 ,  森田 治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-298851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123323
出願日： 1998年10月20日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 堆積物の堆積を抑制して、エッチング装置の運転効率及び単位時間当たりに製造し得る薄膜磁気ヘッドの数を向上することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 基板Kを載置台9上に載置し、排気口8から排気して生成室4及び処理室5内を1mTorr以上20mTorr以下の圧力になるように減圧した後、ガス導入管7から処理室5及び生成室4内へ、BCl3 及びCl2 ガスを、総ガス流量に対するBCl3 ガスの流量比が30%以上80%以下となるように混合しつつ導入する。導波管12から生成室4内へマイクロ波を導入すると共に、励磁コイル15にて生成室4内に所定の磁界を形成して、混合ガスをECR励起してプラズマを生成し、生成したプラズマを処理室5内の基板K上へプラズマを導き、基板Kをエッチングする。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを励起してプラズマを生成し、得られたプラズマによってアルミナ又はアルチックを用いてなる基材をエッチングして薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、前記反応性ガスとして、BCl3 ガス及びCl2 ガスの混合ガスを用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

IPC (2件)：

G11B 5/31 ,  G11B 5/60

FI (2件)：

G11B 5/31 M ,  G11B 5/60 C

Fターム (5件)：

5D033DA02 ,  5D033DA08 ,  5D033DA21 ,  5D033DA31 ,  5D042RA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ドライエッチング方法および磁気ヘッドスライダーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-315487   出願人：株式会社日立製作所
• 磁性体薄膜の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-074319   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• ドライエッチング方法および磁気ヘッドスライダーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-315487   出願人：株式会社日立製作所