特許

J-GLOBAL ID：200903035040265647

スイッチャブルメモリダイオード-新メモリデバイス

発明者： ジュリ エイチ. クリーガー ,  スチュアート スピッツァー
出願人/特許権者： スパンション エルエルシー
代理人 (3件)： 鈴木 正剛 ,  佐野 良太 ,  村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-519442
公開番号（公開出願番号）：特表2008-505499
出願日： 2005年06月30日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

メモリセルと一体化されたダイオード構成要素を形成し、メモリセルのアレイのプログラミングを容易にするシステムおよび方法が提供されている。このようなダイオード構成要素は、非対称の半導体特性を有するパッシブ層とアクティブ層とを備えたメモリセルのpn接合の一部であり得る。そのような配置にすることで、トランジスタタイプの電圧制御の数と関連する電力消費を減らし、一方で、パッシブアレイの一部として個々のメモリセルのプログラミングを可能にする。さらに、システムにより、メモリセルがウェハ表面上に効率的に配置され、かつ、回路設計に利用できるダイスペース量を増加する。

請求項（抜粋）：

外部電場および光放射の少なくとも1つにさらされたときに、イオン、電子、正孔の少なくとも1つの移動に基づいて状態変更が可能なアクティブ層(102)を含み、前記状態は情報内容を示すものであって、 前記アクティブ層(102)への電荷供給を促進するパッシブ層(104)を含み、前記パッシブ層(104)および前記アクティブ層(102)はメモリセル(100)に一体化されたダイオードの一部としてpn接合(106)を生成する、メモリセル(100)。

IPC (4件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/28 100B

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 2構成要素整流接合メモリ素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-541467   出願人：プリンストンユニヴァーシティ
• 有機高分子メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-007750   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.