特許
J-GLOBAL ID：200903035047138578

太陽電池素子およびその製造方法

発明者：
高橋 宏明

高橋 宏明 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019533
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235272
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】太陽電池素子の出力特性を維持しつつ、アルミニウムとシリコンの熱収縮率の違いによって焼成後に発生する基板の反りによる後工程でのセル割れを簡易な方法で再現性よく抑制する。【解決手段】半導体接合部を有する半導体基板1の一主面側に受光面電極6を形成するとともに、他の主面側に銀電極4とアルミニウム電極5とを形成する太陽電池素子の製造方法であって、上記アルミニウム電極5をペーストを焼き付けて形成した後にその表面を超音波エッチングして、波長600〜1000nmの光に対する反射率が30%以上になるようにすることにより、従来よりも簡易な方法で再現性よく太陽電池素子の反りを緩和して割れを抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体接合部を有する半導体基板の一主面側に受光面電極を形成するとともに、他の主面側にアルミニウム電極と銀電極とから成る裏面電極を形成した太陽電池素子において、前記アルミニウム電極の波長600〜1000nmの光に対する反射率が30%以上であることを特徴とする太陽電池素子。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (13件)：
5F051AA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051FA23 ,  5F051HA03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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