特許

J-GLOBAL ID：200903035051159288

太陽電池素子

発明者： 伏谷 健司
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037067
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247595
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】熱処理工程を追加せずに表面電極下に高濃度拡散層を形成する。【解決手段】一導電型半導体基板1の一主面側に多数の微細な突起2と他の導電型不純物の拡散層4を有するとともに表面電極6を有し、他の主面側に裏面電極7、8を有する太陽電池素子であって、上記一主面側の表面電極6下の微細な突起3は、それ以外の領域の微細な突起2よりもアスペクト比を大きくしたり、高さを高くしたり、互いに隣り合う微細な突起の頂点の距離を短くして、表面電極6下に高濃度拡散層を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板の一主面側に多数の微細な突起と他の導電型不純物の拡散層と表面電極を有するとともに、他の主面側に裏面電極を有する太陽電池素子において、前記一主面側の表面電極下の微細な突起はそれ以外の領域の微細な突起よりもアスペクト比が大きいことを特徴とする太陽電池素子。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 F

Fターム (13件)：

5F051AA01 ,  5F051BA14 ,  5F051CB20 ,  5F051CB22 ,  5F051CB24 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051FA08 ,  5F051FA19 ,  5F051FA22 ,  5F051FA25 ,  5F051GA04 ,  5F051HA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光起電力素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067794   出願人：三洋電機株式会社