特許

J-GLOBAL ID：200903035062483834

GaN系発光ダイオード素子

発明者： 谷口 浩一 ,  平岡 晋
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160756
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329382
出願日： 2006年06月09日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】加工基板の上に発光素子構造を含むGaN系半導体層を形成したGaN系発光ダイオード素子のような、屈曲した屈折率界面を利用して光取出し効率の向上を図るGaN系発光ダイオード素子における、光取出し効率の更なる改善を目的とする。【解決手段】GaN系半導体層20は、凹部および凸部を有する主面Sと発光層22との間であって、該主面Sからの距離が、該主面Sから該発光層22までの距離Dの1/2以下である領域に、該主面Sの側に向かって屈折率が上昇する部分を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層と、該発光層を挟むn側層およびp側層と、からなるGaN系半導体層を備え、 該GaN系半導体層が、その少なくとも一方の主面に凹部および凸部を有し、かつ、該凹部および凸部を有する主面の側においてGaN系半導体以外の透明物質と接しており、該GaN系半導体層と該透明物質との間に、該GaN系半導体層側を高屈折率側とする、屈曲した屈折率界面が形成されているGaN系発光ダイオード素子であって、 前記GaN系半導体層は、前記凹部および凸部を有する主面と前記発光層との間であって、該主面からの距離が、該主面から該発光層までの距離の1/2以下である領域に、該主面の側に向かって屈折率が上昇する部分を有している、GaN系発光ダイオード素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-081447   出願人：三菱電線工業株式会社