半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081447
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280611
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】発光層で生じる横方向の光を外界に向かわせる新規な構造が付与された発光素子を提供すること。【解決手段】第一層1の表面に凹凸1aを加工し、第一層とは異なる屈折率を有する第二層2を該凹凸を埋め込んで成長させる(または、成長の基礎となる結晶層S上に第一結晶10を凹凸状に成長させ、第一結晶とは異なる屈折率を有する第二結晶20を成長させる)。これら凹凸状の屈折率界面1a(10a)を形成した後、その上に、発光層Aを含む半導体結晶層が積層された素子構造を形成する。これによって、発光層に生じた横方向の光が凹凸状の屈折率の界面に影響を受け、方向を変える。

請求項（抜粋）：

第一の結晶層表面に凹凸が加工され、その上に、前記結晶層とは異なる屈折率を有する半導体材料からなる第二の結晶層が、バッファ層を介してまたは直接的に、該凹凸を埋め込んで成長しており、その上に、発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Fターム (36件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA51 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA64 , 5F045DB02 , 5F045DB05 , 5F045DB09 , 5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体発光素子および発光ランプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-069421 出願人：三洋電機株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-336307 出願人：ソニー株式会社

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