特許
J-GLOBAL ID：200903035062567884
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259076
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308510
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】チャネル移動度を向上させてオン抵抗を向上することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】n+ 型炭化珪素半導体基板1の主表面上にはn- 型炭化珪素エピ層2が形成され、n- 型炭化珪素エピ層2の表層部の所定領域において所定深さを有するp型炭化珪素ベース領域3a,3bが形成され、ベース領域3a,3bの表層部の所定領域にn+ 型ソース領域4a,4bが形成されている。ベース領域3a,3bの表層部においてソース領域4a,4bとn- 型炭化珪素エピ層2とを繋ぐように表面チャネルエピ層5が配置されている。表面チャネルエピ層5の表面にはゲート絶縁膜7を介してゲート電極8が形成されている。ベース領域3a,3bおよびソース領域4a,4bに接触するようにソース電極10が、基板1の裏面にドレイン電極11が形成されている。
請求項（抜粋）：
主表面および主表面の反対面である裏面を有し、単結晶炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも低いドーパント濃度を有する第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層と、前記炭化珪素エピタキシャル層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域と、前記ベース領域の表面部において前記ソース領域と前記第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層とを繋ぐように配置され、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ベース領域およびソース領域に接触するように形成されたソース電極と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 658 F
