特許

J-GLOBAL ID：200903035075644586

誘電体薄膜構造物

発明者： 神野 伊策 ,  林 重徳 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-321534
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176803
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 高い比誘電率又は高性能残留分極特性を有する誘電体薄膜構造物を提供する。【構成】 基板1としてSi上に白金を蒸着したものを用い、ペロブスカイト型強誘電体薄膜2としてPbTiO3 、ペロブスカイト型反強誘電体薄膜3としてPbZrO3 を用い、1層当たりの膜厚を50オングストロームとして20層からなる1000オングストロームの誘電体薄膜構造物を作製する。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型強誘電体薄膜と、ペロブスカイト型反強誘電体薄膜との積層構造を有する誘電体薄膜構造物。

IPC (6件)：

H01L 41/083 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 41/08 S ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205874   出願人：ローム株式会社
• 強誘電体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205875   出願人：ローム株式会社
• 特開平3-108192