ソリッドステートリレー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028693
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229334
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】ノーマリオフ型又はノーマリオン型のソリッドステートリレーを提供する。【解決手段】発光素子4の光10が照射されてフォトトランジスタ2がオンになると、ノーマリオフ型MOSFET9、9’がオンになってサイリスタ1がオンになる。オン状態で光10の照射が無くなると、フォトトランジスタ2がオフになってMOSFET9がオフになり、MOSFET9がオフになると、サイリスタ1とMOSFET9’が共にオフになり、端子7、8間が非導通状態になる。

請求項（抜粋）：

PNPN接合により構成されるサイリスタと、前記サイリスタのPNPトランジスタのベースとNPNトランジスタのコレクタとの接続点と前記NPNトランジスタのエミッタとの間に接続された第1のノーマリオフ型MOSFETと、前記NPNトランジスタのエミッタと前記サイリスタのカソードとの間に接続された第2のノーマリオフ型MOSFETと、発光素子と、前記発光素子からの光の受光信号により前記第1及び第2のノーマリオフ型MOSFETを制御する受光素子とを備えることを特徴とするノーマリオフ型ソリッドステートリレー。

引用特許：

審査官引用 (1件)

光点弧サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-262943 出願人：松下電工株式会社

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