半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183251
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】コンタクト接触面を適当な立体構造にすることにより、ステップカバレッジ改善・コンタクト接触面積増大を図る。【構成】半導体基板1と、この半導体基板1上に形成したコンタクトホール4を有する層間絶縁膜2と、コンタクトホール4を覆うように層間絶縁膜2上に形成した導電性膜5とを有する半導体装置であって、コンタクトホール4の底面を平面形状とせず、四角錐形状6aとした。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成したコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールを覆うように前記層間絶縁膜上に形成した導電性膜とを有する半導体装置であって、前記半導体基板表面のうちコンタクトホール開口部に四角錐形状のくぼみを有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 M , H01L 21/306 B , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-287120
特開昭62-188267
特開昭61-061441

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