特許

J-GLOBAL ID：200903035092162439

単層カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 鈴木 正樹 ,  石橋 幸治
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160690
公開番号（公開出願番号）：特開2007-326751
出願日： 2006年06月09日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】より高い成長率、成長効率または垂直合成等を達成できるSWCNTの製造方法を提供する。【解決手段】真空、かつ、600〜900°Cの封入空間下にある触媒に、有機脱水アルコールを接触させることを含む、単層カーボンナノチューブの製造方法。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

真空、かつ、600〜900°Cの封入空間下にある触媒に、有機脱水アルコールを接触させることを含む、単層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (21件)：

4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC16B ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BA41 ,  4G146BA45 ,  4G146BB08 ,  4G146BB21 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC08 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 単層カーボンナノチューブの製造方法、単層カーボンナノチューブおよび単層カーボンナノチューブ含有組成物
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2003001468   出願人：株式会社東京大学TLO, 東レ株式会社