特許
J-GLOBAL ID:200903035104313632
基板処理装置および基板処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-088731
公開番号(公開出願番号):特開2008-246319
出願日: 2007年03月29日
公開日(公表日): 2008年10月16日
要約:
【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基板を回転させる基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段から基板の表面に供給される処理液の供給位置を移動させるための供給位置移動手段と、
前記処理液供給手段から供給される処理液の活性度を変更するための活性度変更手段と、
前記供給位置移動手段によって移動させられる処理液の供給位置に基づいて、前記活性度変更手段を制御する制御手段とを含む、基板処理装置。
IPC (6件):
B05C 11/08
, H01L 21/304
, H01L 21/027
, H01J 11/02
, H01J 9/20
, G02F 1/13
FI (8件):
B05C11/08
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 648G
, H01L21/304 648K
, H01L21/30 572B
, H01J11/02 E
, H01J9/20 A
, G02F1/13 101
Fターム (42件):
2H088FA17
, 2H088FA21
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088MA20
, 4F042AA07
, 4F042BA08
, 4F042BA16
, 4F042BA19
, 5C028AA04
, 5C028AA10
, 5C040FA10
, 5C040GA02
, 5C040GH10
, 5C040MA04
, 5C040MA07
, 5C040MA08
, 5C040MA23
, 5C040MA24
, 5F046MA02
, 5F046MA10
, 5F157AA02
, 5F157AA03
, 5F157AA16
, 5F157AA28
, 5F157AB23
, 5F157AB33
, 5F157AB90
, 5F157BB38
, 5F157BB44
, 5F157BC12
, 5F157BC13
, 5F157BE23
, 5F157BE33
, 5F157CD02
, 5F157CD32
, 5F157CD33
, 5F157CD34
, 5F157CE07
, 5F157CE36
, 5F157CE37
, 5F157DB11
引用特許:
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