薄膜多層電極、高周波共振器及び高周波伝送線路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009061
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199911
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】セラミック基板などの誘電体基板上に形成することができ、安価で信頼性の高い薄膜多層電極を提供する。【解決手段】所定の誘電率を有する誘電体基板上に薄膜導体と薄膜誘電体とを交互に積層することによって形成された薄膜多層電極であって、薄膜多層電極を所定の周波数で使用したときに、誘電体基板に生じる電磁界と各薄膜誘電体に生じる電磁界とが互いに実質的に同相になるように、かつ各薄膜誘電体の膜厚が0.2μmから2μmの間の値になるように、各薄膜誘電体の誘電率を設定し、各薄膜導体のうち誘電体基板から最も離れて形成される薄膜導体以外の各薄膜導体の膜厚を所定の周波数における表皮深さより薄くした。

請求項（抜粋）：

所定の誘電率を有する誘電体基板上に薄膜導体と薄膜誘電体とを交互に積層することによって形成された薄膜多層電極であって、上記薄膜多層電極を所定の周波数で使用したときに、上記誘電体基板に生じる電磁界と上記各薄膜誘電体に生じる電磁界とが互いに実質的に同相になるように、かつ上記各薄膜誘電体の膜厚が0.2μmから2μmの間の値になるように、上記各薄膜誘電体の誘電率を設定し、上記各薄膜導体のうち上記誘電体基板から最も離れて形成される薄膜導体以外の各薄膜導体の膜厚を上記所定の周波数における表皮深さより薄くしたことを特徴とする薄膜多層電極。

IPC (3件)：

H01P 3/18 , H01P 3/08 , H01P 7/10

FI (3件)：

H01P 3/18 , H01P 3/08 , H01P 7/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

高周波電極及び高周波伝送線路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-122281 出願人：株式会社村田製作所
特開昭54-082700
特開昭60-232602

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