半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336965
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201809
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜のパターニング工程を含む半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜のパターニングの際の寸法変換差のバラツキを小さくすること。【構成】パターン密度の高い領域に形成された第一のレジストパターン4と、パターン密度の低い領域に形成された第二のレジストパターン5とを絶縁膜3の上に形成する工程と、側壁への中性種の付着を妨げながら、前記第一のレジストパターン4と前記第二のレジストパターン5をマスクにして前記絶縁膜3をエッチングすることにより前記絶縁膜3をパターニングし、前記第一のレジストパターン4の下に存在する前記絶縁膜3のパターンの寸法変換差と前記第二のレジストパターン5の下に存在する前記絶縁膜3のパターンの寸法変換差との違いを最小パターン幅の10%以下に抑制する工程を含む。

請求項（抜粋）：

パターン密度の高い領域に形成された第一のレジストパターン(4)と、パターン密度の低い領域に形成された第二のレジストパターン(5)とを絶縁膜(3)の上に形成する工程と、側壁への中性種の付着を妨げながら、前記第一のレジストパターン(4)と前記第二のレジストパターン(5)をマスクにして前記絶縁膜(3)をエッチングすることにより前記絶縁膜(3)をパターニングし、前記第一のレジストパターン(4)の下に存在する前記絶縁膜(3)のパターンの寸法変換差と前記第二のレジストパターン(5)の下に存在する前記絶縁膜(3)のパターンの寸法変換差との違いを最小パターン幅の10%以下に抑制する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

微細パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-037773 出願人：シャープ株式会社
特開平3-296217
特開昭61-296738

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