特許
J-GLOBAL ID：200903035130357320
集積回路装置の配線方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-183159
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288288
出願日： 1994年08月04日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 集積回路装置の配線方法に関し、交差して配線することができ、コンタクト孔を削減して所要面積を縮小できる局所配線を用いる。【構成】 p+ 型シリコン基板1の上に成長したp型シリコン層2にフィールド酸化膜3と、p型領域21 とn型領域22 とゲート酸化膜41 ,42 を形成し、その上に多結晶シリコン膜5とシリコン酸化膜6を形成し、ゲート電極51 ,52 と配線53 を形成する予定のシリコン酸化膜6を部分的に除去し、このシリコン酸化膜6と多結晶シリコン膜5をパターニングしてゲート電極51 ,52 と配線53 を形成し、ゲート電極51 ,52 をマスクにしてソース領域211,221とドレイン領域212,222を形成し、露出する表面に金属シリサイド層811・・・を形成し、ドレイン領域212,222から配線53 あるいは他のFETのゲート電極の表面の金属シリサイド層811・・・にかけて局所配線を形成する。
請求項（抜粋）：
基板の上に配線材料膜を形成する工程と、該配線材料膜の上に絶縁材料膜を形成する工程と、該配線材料膜によって配線を形成する予定の該絶縁材料膜の一部を選択的に除去する工程と、該絶縁材料膜と該配線材料膜からなる2層膜をパターニングすることによって配線を形成する工程と、該配線の側面に絶縁膜を形成する工程と、該基板の表面と該配線の表面を接続する局所配線を形成する工程を含むことを特徴とする集積回路装置の配線方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
, H01L 21/768
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 27/10 381
, H01L 21/90 D
, H01L 29/78 301 P
