特許

J-GLOBAL ID：200903035133646195

リードフレームの製造方法

発明者： 森 修治 ,  高野 雅夫 ,  辻本 圭一
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (2件)： 中前 富士男 ,  原崎 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-060409
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245389
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 リードフレームの製造に導電性金属ナノ材料を使用して省資源化を図ると共に製造過程のリードフレーム表面の酸化を防止してリードフレームと封止樹脂との間の密着性を向上させることが可能なリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】 表面に下地めっき11が施されたリードフレーム10のインナーリード12の所望の領域に導電性金属ナノ材料を塗布するナノ材料塗布工程と、塗布された導電性金属ナノ材料を焼結する焼結工程とを有し、ナノ材料塗布工程の前にリードフレーム12の下地めっき11の全面に焼結工程の焼結温度で消失する酸化防止膜14を形成する酸化防止膜形成工程を設け、焼結工程の後に焼結時に下地めっき11の表面に生成した酸化膜を除去する酸化膜除去工程を設けた。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

表面に下地めっきが施されたリードフレームのインナーリードの所望の領域に導電性金属ナノ材料を塗布するナノ材料塗布工程と、塗布された前記導電性金属ナノ材料を焼結する焼結工程とを有し、 前記ナノ材料塗布工程の前に前記リードフレームに施された下地めっきの全面に前記焼結工程の焼結温度で消失する酸化防止膜を形成する酸化防止膜形成工程を設け、前記焼結工程の後に焼結時に前記下地めっきの表面に生成した酸化膜を除去する酸化膜除去工程を設けたことを特徴とするリードフレームの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/50

FI (1件)：

H01L23/50 V

Fターム (4件)：

5F067AA04 ,  5F067DC11 ,  5F067DE01 ,  5F067EA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• リードフレームの部分貴金属めっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-199765   出願人：大日本印刷株式会社