特許

J-GLOBAL ID：200903035154029951

炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法

発明者： 上田 康博 ,  國里 竜也 ,  古賀 和幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112527
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 量産性に優れ、電気的な短絡を防止した炭化ケイ素発光ダイオード装置とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n型炭化ケイ素基板1上にその周縁部1aを除いて形成されたn型炭化ケイ素層2と、該n型炭化ケイ素層2上に形成されたp型炭化ケイ素層3と、前記周縁部1a上、n型炭化ケイ素層2の側面、及びp型炭化ケイ素層3上に形成された絶縁層4と、該絶縁層4に前記p型炭化ケイ素層3が露出するように設けられたスルーホール部5と、該スルーホール部5と前記n型炭化ケイ素基板1の下面上の一部にそれぞれ設けられたp型側、n型側電極6、9と、前記絶縁層4上及びn型側電極9上に形成された導電性接合層7と、該導電性接合層7上に設けられた導電性基板8と、を備えた炭化ケイ素発光ダイオード素子10をその導電性基板8側でステム12に導電性接着材13で固着した。

請求項（抜粋）：

n型炭化ケイ素基板と、該n型炭化ケイ素基板上にその周縁部を除いて形成されたn型炭化ケイ素層と、該n型炭化ケイ素層上に形成されたp型炭化ケイ素層と、前記周縁部上、n型炭化ケイ素層の側面、及びp型炭化ケイ素層上に形成された絶縁層と、該絶縁層に前記p型炭化ケイ素層が露出するように設けられたスルーホール部と、該スルーホール部と前記n型炭化ケイ素基板の下面上の一部にそれぞれ設けられたp型側、n型側電極と、前記絶縁層上及びp型側電極上に形成された導電性接合層と、該導電性接合層上に設けられた導電性基板と、を備えた炭化ケイ素発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子を保持するステムとからなり、前記発光ダイオード素子をその導電性基板側で前記ステムに電気的に接続すると共に固着したことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード装置。