特許

J-GLOBAL ID：200903035164587715

半導体素子製造工程中の食刻終了時点検出方法

発明者： 李 東▲弦▼
出願人/特許権者： エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045673
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、時間及び物質を節約し、迅速正確に食刻終了時点を検出し得る半導体素子製造工程中の食刻終了時点検出方法を提供しようとするものである。【解決手段】基板上の被食刻層を食刻するとき、生成される物質の波長と食刻物質の波長との比により、食刻終了時点を検出し得るように、半導体素子製造時の食刻終了時点検出方法が提供されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子製造工程中の食刻終了時点検出方法であって、基板上の被食刻層を食刻物質により食刻するとき生成される物質の波長と、前記食刻物質の波長と、の比を利用し、食刻終了時点を検出する半導体素子製造工程中の食刻終了時点検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/66 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ドライエツチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-206300   出願人：東京エレクトロン株式会社