特許
J-GLOBAL ID：200903035164674278
半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036038
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232295
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 液化ガスを利用して反応処理を行う装置では、ガス配管を通流するガスが再液化するおそれがある。ガス配管を加熱装置により加熱しても、ガス配管に生じる温度ムラによって再液化を有効に防止することは困難である。【解決手段】 ガスボンベ2から反応室1に至るガス配管3の一部領域を断熱材10で被覆し、かつこの被覆された領域の下流側に加熱装置11を設ける。断熱材10によりガス配管3の温度が部分的に低下されることが防止され、温度ムラが抑制される。また、断熱材10で覆われた領域に上流から下流側に向けての温度勾配が形成されるため、ガスの再液化がさらに有効に防止される。
請求項（抜粋）：
液化ガスを蓄積したガスボンベと、所要の反応処理を行うための反応室とをガス配管で接続し、前記液化ガスをガス化して前記反応室に供給するガス供給系を備える半導体装置の製造装置において、前記ガス配管の一部領域を断熱材で被覆するとともに、この断熱材で被覆した前記ガス配管の下流領域に加熱装置を設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 D
, H01L 21/302 B
