特許
J-GLOBAL ID：200903035211764361
電極被覆用低融点ガラスおよび電極被覆用ガラスセラミック組成物
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001782
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313637
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】ガラス被覆層を単層構造にでき、誘電率も低く、かつ駆動回路配線部分について別の被覆を行う必要がない電極被覆用低融点ガラスを得る。【解決手段】質量百分率表示で、PbO:20〜60、Bi2O3:0〜30、B2O3:20〜55、SiO2:0〜10、Al2O3:0〜15、MgO+CaO:0〜35、SrO:0〜35、BaO:0〜35、ZnO:0〜8からなる電極被覆用低融点ガラス。
請求項（抜粋）：
下記酸化物基準の質量百分率表示で実質的に、PbO 20〜60%、Bi2O3 0〜30%、B2O3 20〜55%、SiO2 0〜10%、Al2O3 0〜15%、MgO+CaO 0〜35%、SrO 0〜35%、BaO 0〜35%、ZnO 0〜 8%、からなる電極被覆用低融点ガラス。
IPC (6件)：
C03C 8/22
, C03C 3/072
, C03C 3/074
, C03C 3/14
, C03C 3/145
, H01J 11/02
C03C 8/22
, C03C 3/072
, C03C 3/074
, C03C 3/14
, C03C 3/145
, H01J 11/02 B
