特許
J-GLOBAL ID：200903035239210817
反射防止膜形成用組成物およびレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131947
公開番号（公開出願番号）：特開平10-319601
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 反射防止効果が高く、インターミキシングを生じることのない、解像度および精度等に優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜形成用組成物、並びにそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 特定のイミノスルホネート基を有する重合体と溶剤を含有する反射防止膜形成用組成物。レジストパターンは、基板上に予めこの組成物により反射防止膜を形成したのち、レジスト膜を形成し、次いで、放射線を照射し、現像することによって形成される。
請求項（抜粋）：
下記式(1)【化1】ここで、R1とR2は、同一もしくは異なり、水素原子または1価の有機基であるかあるいはR1とR2は互いに結合してそれらが結合している炭素原子と一緒になって脂環式基を形成していてもよく、またR3は水素原子またはメチル基である、で表される繰返し単位を含有してなる重合体、および該重合体の溶剤を含有してなる、反射防止膜形成用組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/033
, G03F 7/38 501
, C08F112/14
, C08L 25/18
G03F 7/11 503
, G03F 7/033
, G03F 7/38 501
, C08F112/14
, C08L 25/18
