半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338396
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202186
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】電極膜の形成後に絶縁膜が増速酸化されることと、膜剥がれ現象が生じることとを防止し、高精度で良好な膜質の薄膜状絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】シリサイド膜10および/またはゲート絶縁膜6中に含まれ、ゲート絶縁膜6の成長に寄与する不純物を、ポリシリコン膜8の活性化の熱処理前に、引き抜く。不純物の引き抜き工程は、シリサイド膜10の成膜温度以上で、しかも絶縁膜6の成長温度以下の温度で予備熱処理する工程である。この予備熱処理は、好ましくは450°C〜800°C、さらに好ましくは450〜700°Cの温度で行う。不純物の引き抜き工程は、シリサイド膜10の形成後に行って良いが、シリサイド膜10の形成途中で、膜10を構成することになる複数の薄膜層10aを単層または複層形成した後に行うこともできる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜の上に電極膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、上記電極膜および/または絶縁膜中に含まれ、絶縁膜の成長に寄与する不純物を、電極膜の活性化の熱処理前に、引き抜く工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-283064
特開平1-295427
特開平4-336466

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