特許

J-GLOBAL ID：200903035244990600

スパッタリング用ターゲット板の接合方法

発明者： 宮 田 征 一 郎 ,  小 林 良 治
出願人/特許権者： 第一高周波工業株式会社
代理人 (1件)： 樋口 盛之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301762
公開番号（公開出願番号）：特開2000-117427
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課 題】 炭素,ケイ素,セラミック系のターゲット板の、裏打金属板への接合を、従来のロウ付けよりも少ない工程で高品質且つ安価に行うことのできる接合方法の提供。【解決手段】 ターゲット板側にTiなどの活性金属を配合したIn,Sn,Pb系合金の融着被膜を形成し、該被膜を、裏打金属板側に形成した低融点ロウ材被膜と融合させて、短工程で熱応力の小さい接合を行う。

請求項（抜粋）：

実質的に{炭素,ケイ素,セラミック}の中から選ばれた材料からなるスパッタリング用ターゲット板の接合面に{In,Sn,Pb}の中から選ばれた元素と活性金属元素を主成分とする合金の被膜を融着させる工程と、該ターゲット板に接合する裏打金属板の接合面に低融点ロウ材の被膜を被覆する工程と、該ターゲット板、裏打金属板の被膜を重ね合わせ、重ね合わせた被膜を加熱融合させる工程を備えてなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット板の接合方法。

IPC (5件)：

B23K 1/19 ,  B23K 1/20 ,  C23C 14/34 ,  B23K101:34 ,  B23K103:18

FI (4件)：

B23K 1/19 H ,  B23K 1/20 D ,  B23K 1/20 E ,  C23C 14/34 C

Fターム (3件)：

4K029DC02 ,  4K029DC05 ,  4K029DC24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-097472
  
• スパッタ用ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-099954   出願人：株式会社テクノファイン, ティーディーケイ株式会社