特許
J-GLOBAL ID:200903035252932139
セラミック積層体とその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
碓氷 裕彦 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-332217
公開番号(公開出願番号):特開2003-243742
出願日: 2002年11月15日
公開日(公表日): 2003年08月29日
要約:
【要約】【課題】 焼成中に未焼積層体の誘電層の成分と電極層の成分との反応を防止し,両成分が液相化し難いセラミック積層体とその製造方法を提供すること。【解決手段】 鉛を含有するグリーンシート11,12に,酸化銅を主成分とする電極ペーストで印刷部13を形成して印刷シート10とし,所望の枚数積層して未焼積層体15とし,大気雰囲気中で脱脂処理して有機成分を脱脂し,水素を含む還元雰囲気中にて印刷部13を銅を主成分とする印刷部13へと還元処理を行い,未焼積層体15を還元雰囲気で焼成する。鉛を含有する誘電層と該誘電層に対する電圧印加用の電極層とが交互に積層され,電極層の表面近傍には銅を含有する酸化部を有し,酸化部の積層方向の厚みは0.5〜2μm,酸化部における銅の含有量は0.1〜30wt%である。
請求項(抜粋):
構成元素として鉛酸化物を含有する酸化物誘電体よりなるグリーンシートに,銅若しくは銅化合物を主成分とする電極ペーストよりなる印刷部を設けて印刷シートを形成し,上記印刷シートを複数枚積層して未焼積層体となし,該未焼積層体に含まれる有機成分を熱処理することで除去する脱脂処理を行い,上記未焼積層体を還元雰囲気で,かつ室温から400〜600°Cに至るまでは銅と酸化鉛とが共存可能な酸素分圧若しくは銅と酸化鉛とが共存可能な酸素分圧よりも高酸素分圧に制御しつつ,焼成することを特徴とするセラミック積層体の製造方法。
IPC (3件):
H01L 41/22
, H01L 41/083
, H01L 41/187
FI (5件):
H01L 41/22 Z
, H01L 41/08 Q
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/18 101 E
, H01L 41/18 101 F
引用特許:
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