特許

J-GLOBAL ID：200903035288068511

II-VI 族化合物半導体基板およびその製造法

発明者： 西野 勇 ,  大高 修司 ,  佐川 徹 ,  佐々木 茂 ,  永田 長寿
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146798
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316249
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 従来法における溶融亜鉛処理用容器の密封に代わり、亜鉛の蒸発を防止しながら低抵抗な特性を有するII-VI 族化合半導体基板およびその製造法の提供。【構成】 単結晶から切り出したZnSe単結晶基板2を、スライドボード1に組み込まれたスライダー8に設けられたメルト槽4底部のキャビティ3にセットし、この基板上に高純度亜鉛5を、さらにその上に液体封止剤6としてB2 O3を入れ蓋7をした後、このスライドボードを横型管状炉で800°Cに昇温後、この温度で60時間保持して溶融亜鉛処理する。その後徐冷してZnSe基板を取り出す。

請求項（抜粋）：

抵抗率2Ωcm以下、キャリア密度2×1016cm-3以下の特性を有することを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/208 S ,  H01L 33/00 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-271438
  
• 特開昭60-090897
  
• 低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287526   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-129098