特許
J-GLOBAL ID：200903035288068511
II-VI 族化合物半導体基板およびその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146798
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316249
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 従来法における溶融亜鉛処理用容器の密封に代わり、亜鉛の蒸発を防止しながら低抵抗な特性を有するII-VI 族化合半導体基板およびその製造法の提供。【構成】 単結晶から切り出したZnSe単結晶基板2を、スライドボード1に組み込まれたスライダー8に設けられたメルト槽4底部のキャビティ3にセットし、この基板上に高純度亜鉛5を、さらにその上に液体封止剤6としてB2 O3を入れ蓋7をした後、このスライドボードを横型管状炉で800°Cに昇温後、この温度で60時間保持して溶融亜鉛処理する。その後徐冷してZnSe基板を取り出す。
請求項（抜粋）：
抵抗率2Ωcm以下、キャリア密度2×1016cm-3以下の特性を有することを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/368
, H01L 21/208
, H01L 33/00
H01L 21/368
, H01L 21/208 S
, H01L 33/00 D
