特許

J-GLOBAL ID：200903035293902139

誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板

発明者： 上田 達也 ,  須郷 公英
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281436
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 焼結温度が低く、高い基板強度と優れた基板特性を有するセラミック多層基板を提供すること。【解決手段】 絶縁性セラミック基板3a及び3bと誘電体セラミック層2とを積層、焼成してなるセラミック多層基板1において、絶縁性セラミック基板3a及び3bを、BaO-Al2O3-SiO2系の低温焼結セラミック材料で形成し、誘電体セラミック層2を、BaO-TiO2-(Nd1-mMem)O3/2(但し、Meはランタノイド系元素を示し、0≦m≦1.0である。)で表される誘電体セラミック成分に、20.0〜65.0モル%のBaO、5.0〜50.0モル%のSiO2、及び、10.0〜50.0モル%のB2O3を3.0〜35.0重量%混合してなる誘電体セラミック材料で形成する。

請求項（抜粋）：

BaO-TiO2-(Nd1-mMem)O3/2(但し、Meはランタノイド系元素を示し、0≦m≦1.0である。)で表される誘電体セラミック成分に、酸化バリウム、酸化ケイ素及び酸化ホウ素からなるガラス成分を混合し、これを焼成してなることを特徴とする、誘電体セラミック組成物。

IPC (5件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/02 ,  H01B 3/12 303 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

C04B 35/46 D ,  H01B 3/02 A ,  H01B 3/12 303 ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/46 H

Fターム (42件)：

4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA03 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA36 ,  5E346BB01 ,  5E346BB20 ,  5E346CC18 ,  5E346CC21 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD07 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346GG04 ,  5E346GG09 ,  5E346HH01 ,  5E346HH06 ,  5G303AA05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB08 ,  5G303AB11 ,  5G303AB12 ,  5G303AB15 ,  5G303BA06 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB22 ,  5G303CB25 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-082501
  
• 低温焼結型誘電体磁器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-239041   出願人：富士電気化学株式会社
• 誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-183581   出願人：株式会社村田製作所