特許
J-GLOBAL ID：200903035340669561
光電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149916
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347568
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 光照射がない状態の暗電流を抑え、光による電流のオン-オフ比を大きくして、フォトダイオードなどの光電変換素子の性能低下を防止する。【解決手段】 本発明は、陽極として機能する光透過性電極膜を付着させた透明基板と、陰極として機能する金属電極膜との間に有機物を用いた機能層を挟んで構成される。機能層は、n型半導体層としてチタン酸化物薄膜3と、その表面に圧着掃引したp型半導体層としてのPPVの摩擦転写膜(有機半導体層)4とから構成される。金属電極膜は、ポリ塩化ビニリデン製のフォイル6に金を蒸着したもの(金電極膜5)を作製し、この金を蒸着したフォイルを、金がPPVと接するように貼り付け、電極として使用する。
請求項（抜粋）：
陽極として機能する光透過性電極膜を付着させた透明基板と、陰極として機能する金属電極膜との間に有機物を用いた機能層を挟んで構成した光電変換素子において、前記金属電極膜は、金属電極膜を蒸着させた高分子材料製のフォイルを、該金属電極膜を前記光透過性電極膜に対向させる側にして前記機能層に貼り付けることによって構成したことから成る光電変換素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 D
, H01L 31/04 H
5F051AA04
, 5F051AA11
, 5F051BA13
, 5F051CB13
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA18
, 5F051FA30
, 5F051GA03
