厚膜多層基板及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255867
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107433
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】高コスト化を招くことなくビィアホール部の信頼性を向上させ、且つ高密度実装を可能とする。【解決手段】アルミナ基板1上には、Ag系導体材料からなる内層導体2が形成され、さらにその上には例えばホウ珪酸鉛からなる絶縁層3が形成されている。絶縁層3には、複数箇所にビィアホール4が形成されており、このビィアホール4には、低温焼成導体としてのCu系導体材料(Dupont社製6002F)からなるビィアホール導体5が充填されている。絶縁層3の表面には、前記ビィアホール導体5と同材料で、その導体5と一体成形される表層導体6が設けられている。ビィアホール導体5並びに表層導体6は、約600°Cの低温焼成により同時に形成されるものである。表層導体6に設けられたランド部6a上には、はんだ接合材7を介して例えばフリップチップのような電子部品8の電極9がはんだ付けされている。

請求項（抜粋）：

表層導体と内層導体とを電気的に接続するビィアホールを有する厚膜多層基板において、前記表層導体と、最も表層側の絶縁層に充填されるビィアホール導体とが、前記内層導体の焼成温度よりも低い温度で焼成される低温焼成導体により一体成形されていることを特徴とする厚膜多層基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H01L 23/12

FI (5件)：

H05K 3/46 C , H05K 3/46 N , H05K 3/46 Q , H05K 3/46 S , H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-155696
特開昭63-155696
特開昭62-250691

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