特許
J-GLOBAL ID：200903035395304481
半導体記憶装置および半導体記憶装置のアクセス方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-134874
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 容易かつ確実にインプリント効果の発生を抑制することができる半導体記憶装置および半導体記憶装置のアクセス方法を提供すること。【解決手段】 読み出しによって記憶データが破壊されてしまう強誘電体コンデンサについては、記憶データの読み出し、再書き込みに際して分極状態がヒステリシス特性上を一周するため、インプリント効果は生じにくい。これに対して、読み出し時に記憶データが破壊されない強誘電体コンデンサについては、読み出しの際に分極状態がヒステリシス特性上を一周しないため、インプリント効果が生じるおそれがある。このため、読み出し時に記憶データが破壊されない強誘電体コンデンサについても、分極状態を反転させて強制的にヒステリシス特性上を一周させ、インプリント効果の発生を抑制する。
請求項（抜粋）：
第1データに対応する第1状態、または第2データに対応する第2状態を保持することによって、第1データまたは第2データを記憶する半導体記憶装置において、第1データを記憶させまたは読み出す際、第1状態を一旦、第2状態に反転させた後、第1状態に復帰させ、かつ、第2データを記憶させまたは読み出す際、第2状態を一旦、第1状態に反転させた後、第2状態に復帰させる、ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
