特許
J-GLOBAL ID：200903055273939207

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
高田 栄和

高田 栄和 について

, 
田中 嗣彦

田中 嗣彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068837
公開番号（公開出願番号）：特開平9-265784
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 各メモリセルMC単位で“1”と“0”のデータのアクセスを区別してリフレッシュを行い、または、このリフレッシュを任意の大きさのブロック単位で実行することにより、無駄なリフレッシュ動作をできるだけ少なくしてアクセス効率の低下を確実に防止することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 各メモリセルMCごと、または、メモリセルアレイ1を行列方向に分割した各ブロックごとにカウンタ10a,10bを設けると共に、必要に応じて“1”と“0”のデータのアクセスを区別してこれらのカウンタ10a,10bでアクセス回数をカウントし、このカウント値が所定値を超えた場合に、リフレッシュ制御回路10が発生させるアドレスに基づいて、そのメモリセルMCまたはブロック内の全てのメモリセルMCをリフレッシュする。
請求項（抜粋）：
強誘電体を介在させたキャパシタを記憶素子とするメモリセルを多数設けた不揮発性半導体記憶装置において、各メモリセルに対応して、該メモリセルへの第1の論理データの書き込みアクセスおよび読み出しアクセスの回数をカウントする第1カウンタと、該メモリセルへの第2の論理データの書き込みアクセスおよび読み出しアクセスの回数をカウントする第2カウンタと、該第1カウンタまたは該第2カウンタのいずれかのカウント値が所定値を超えた場合に、カウント値が所定値を超えた該カウンタが対応する該メモリセルの該キャパシタに対して該強誘電体の分極状態をヒステリシス特性上で少なくとも一巡させる電界を印加するリフレッシュを実行するリフレッシュ制御手段とを備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 14/00 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/406
FI (3件)：
G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 363 N
引用特許：
審査官引用 (3件)

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